（一）pn結(jié)的單向?qū)щ娦?
pn結(jié)具有單向?qū)щ娦浴Ｍ饧诱螂妷簳r，空間電荷區(qū)變窄，流過一個較大的正向電流。外加反向電壓時，空間電荷區(qū)變寬，流過一個很小的反向飽和電流。
（二）pn結(jié)的伏安特性
pn結(jié)的伏安特性方程為:
① u>0且u >>ut時
即正向電流隨正向電壓的增大按指數(shù)規(guī)律迅速增大。
② u<0且│u│>>ut時：
即加反向電壓時，只流過很小的反向飽和電流。
(三）pn結(jié)的反向擊穿
反向擊穿電壓：發(fā)生擊穿所需的反向電壓ubr.
pn結(jié)的反向擊穿：當(dāng)加到pn結(jié)上的反向電壓增大到某個數(shù)值時，反向電流急劇增加。
特點：隨著反向電流急劇增加，pn結(jié)的反向電壓值增加很少。
（四）pn結(jié)的電容效應(yīng)
1.勢壘電容
pn結(jié)加正向電壓，使空間電荷區(qū)變窄；pn結(jié)加反向電壓，使空間電荷區(qū)變寬。
區(qū)間電荷隨外加電壓變化而增大或減小，形成了電容效應(yīng)，稱為勢壘電容cb。
2.擴散電容
以 p 區(qū)為例：當(dāng)外加電壓增大時，非平衡少子濃度提高，曲線由1變?yōu)?；同理，外加電壓減小時，非平衡少子濃度降低。這
樣，擴散到兩邊的少子受外加電壓大小控制，形成電容效應(yīng)，稱為擴散電容c。