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      硬盤內(nèi)存和固態(tài)硬盤,固態(tài)硬盤和內(nèi)存條哪個好

      發(fā)布時間:2024-09-28
      1,固態(tài)硬盤和內(nèi)存條哪個好2,內(nèi)存條和固態(tài)硬盤哪個好3,ssd固態(tài)硬盤 與 內(nèi)存盤的區(qū)別4,硬盤固態(tài)硬盤和內(nèi)存有什么區(qū)別5,固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少1,固態(tài)硬盤和內(nèi)存條哪個好 玩游戲,如不足4g,建議加內(nèi)存。辦公,建議加固態(tài)固態(tài)硬盤是用來裝系統(tǒng)、程序、文檔的內(nèi)存是用來做高速緩存的兩者用途不同,工作方式也不同,不能比的你這問題根本不成立,硬盤決定的是儲存速度,內(nèi)存決定的是運(yùn)行速度。當(dāng)然,運(yùn)行速度是各硬件都協(xié)調(diào)搭配的,我說的也不太準(zhǔn)確,建議你先弄懂硬盤跟內(nèi)存的關(guān)系再說吧
      2,內(nèi)存條和固態(tài)硬盤哪個好 電腦 內(nèi)存 是內(nèi)存 硬盤 是硬盤 對于現(xiàn)在的電腦 兩者 缺一不可、、、固態(tài)硬盤是 相對于 機(jī)械硬盤而言的 機(jī)械硬盤存儲數(shù)據(jù) 是靠 磁片和磁針 而固態(tài)硬盤 存儲數(shù)據(jù)是靠flash芯片 (類似于u盤)所以 固態(tài)硬盤 存儲速度 要快很多內(nèi)存條 是 cpu和 硬盤之間通訊的一個 中繼硬件 對于 現(xiàn)在的電腦來說 是不能少的對于現(xiàn)在的電腦 內(nèi)存 和 硬盤 缺一不可 不能互相代替的
      3,ssd固態(tài)硬盤 與 內(nèi)存盤的區(qū)別 固態(tài)硬盤是沒有轉(zhuǎn)速的,機(jī)械硬盤才有轉(zhuǎn)速這個慨念。正常情況下固態(tài)比機(jī)械硬盤運(yùn)行速度快,但是用固態(tài)硬盤時有進(jìn)行4k對齊,才能充分發(fā)揮固態(tài)硬盤的作用。ssd固態(tài)硬盤比傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤的讀寫速度更快 建議購買三星840evo呢不一樣,系統(tǒng)軟件安裝一般安裝在固態(tài)盤上。你用軟件測試了你的現(xiàn)在的硬盤速度能達(dá)到600嗎?測了看看你就知道需不需要換了。
      4,硬盤固態(tài)硬盤和內(nèi)存有什么區(qū)別 機(jī)械硬盤 就是我們現(xiàn)在大多都在使用的,構(gòu)造原理是硬盤里面是由1張或幾張可讀寫數(shù)據(jù)的儲存盤體,盤體上有只讀寫槍,有點(diǎn)象老式光碟機(jī),硬盤里面還有一保馬達(dá)帶動儲存盤轉(zhuǎn)動,從而能讀取到不同部分的數(shù)據(jù)。 優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)成本低,容量大。但穩(wěn)定性及讀寫數(shù)據(jù)速度不如固態(tài)硬盤固態(tài)硬盤 簡單些有點(diǎn)象平時的u盤,只是電路板更復(fù)雜。沒有象機(jī)械硬盤那樣的馬達(dá)及儲存碟盤,而主要以半導(dǎo)體固體作為數(shù)據(jù)儲存介質(zhì)。優(yōu)點(diǎn)是速度快、穩(wěn)定、壽命長,但目前來說價格貴。一般發(fā)燒友都會用?,F(xiàn)在的筆記本大部分都是用2.5寸的機(jī)械硬盤,而臺式機(jī)用的是3.5寸的機(jī)械硬盤。如蘋果出的ipad 用的就是固態(tài)硬盤,還有部份超薄的筆記本也會用到固態(tài)硬盤。內(nèi)存--有電時可以存取數(shù)據(jù),沒電時清零。普通硬盤--用于存取數(shù)據(jù),停電后也能保存。固態(tài)硬盤--和普通硬盤一樣,只是速度快幾倍,用于取代普通硬盤。 5,固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少 內(nèi)存的基本構(gòu)架和固態(tài)硬盤發(fā)熱構(gòu)架完全不同,固態(tài)硬盤的存儲芯片是非易失性存儲介質(zhì)(nvram),也就是沒有電源后內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)不會丟失。nand型閃存為例,它的隨機(jī)存取速度慢,而且寫入數(shù)據(jù)之前還要對區(qū)塊進(jìn)行擦除,使得寫速度僅有讀取速度的1/2~1/4,這種現(xiàn)象在目前廣泛使用的mlc nand上更加嚴(yán)重。此外,nand的壽命也難以令人滿意,一般slc型nand可以承受10萬次左右讀寫,而mlc型nand則更低。內(nèi)存是雙倍速率sdram(dual date rate sdrsm,ddr sdram):又簡稱ddr,由于它在時鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,所以即使在133mhz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128gb/s。ddr不支持3.3v電壓的lvttl,而是支持2.5v的sstl2標(biāo)準(zhǔn)。它仍然可以沿用現(xiàn)有sdram的生產(chǎn)體系,制造成本比sdram略高一些,但仍要遠(yuǎn)小于rambus的價格,因為制造普通sdram的設(shè)備只需稍作改進(jìn)就能進(jìn)行ddr內(nèi)存的生產(chǎn),而且它也不存在專利等方面的問題,所以它代表著未來能與rambus相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個方向。內(nèi)存也固態(tài)硬盤的區(qū)別就是停電了固態(tài)硬盤里的數(shù)據(jù)不會丟失而內(nèi)存的數(shù)據(jù)就會消失。而且底層構(gòu)架不同也就決定了存儲速率的差別。ps:在百度上找不到關(guān)于內(nèi)存底層構(gòu)架的文章,上面的資料有部分是以前在專業(yè)書上看到的現(xiàn)在回憶有可能有疏漏,望大家海涵。我的內(nèi)存讀取速度能到15000多m/s,寫入速度在13000左右,現(xiàn)在最好的固態(tài)硬盤讀取速度也就能到400多m/s,寫入速度更低點(diǎn),也就200多吧。 只能用天差地別來形容。 如果你用內(nèi)存虛擬一塊硬盤出來再用硬盤測試軟件測,你就知道什么是飛一般的速度了。固態(tài)硬盤是可以用內(nèi)存條做的,其實速度上和傳統(tǒng)硬盤沒區(qū)別,傳統(tǒng)硬盤每秒 50m 是沒問題的就是帶寬上有瓶頸, 最大只能每秒100-300m固態(tài)的應(yīng)該就是沒有個 瓶頸所以有優(yōu)勢,但是現(xiàn)在內(nèi)存很大 基本上也不用硬盤搞些什么輔助緩存, 我覺得沒什么必要搞固態(tài)硬盤,容量又小又貴d不要內(nèi)存算了! 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎?- -基本差不多d不要內(nèi)存算了! 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎?- -
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