半導體型壓力傳感器結(jié)構(gòu)及操作說明
傳感器芯片的結(jié)構(gòu)硅片受壓部（硅膜片）與通常的ic制造工序一樣，通過雜質(zhì)擴散形成硅規(guī)。當對硅片施加壓力時，儀表電阻會根據(jù)撓度而變化，并轉(zhuǎn)換為電信號。（壓阻效應）該量規(guī)的特點是量規(guī)系數(shù)大。（金屬量規(guī)是2-3，而硅量規(guī)是幾個10-100）。結(jié)果，可以獲得高輸出，使得可以制造厚膜片，這提高了壓力傳感器的耐壓性。
目標型號半導體型壓力傳感器vdp4、vsw2（低壓用）等
半導體膜片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說明半導體膜片壓力傳感器由與被測介質(zhì)直接接觸的高耐腐蝕性金屬膜片（相當于哈氏合金c-22、sus316l等）和檢測壓力的硅片（硅膜片）構(gòu)成通過封閉的硅油。），采用雙隔膜系統(tǒng)。sus316l隔膜（或相當于哈氏合金c-22）通過壓力入口直接與測量介質(zhì)接觸，可以穩(wěn)定測量未浸入其中的介質(zhì)（空氣、水、油等）。[連接螺紋為 g3/8 時，使用 o 型圈（氟橡膠）密封管道。]]
特征我們可以制造可以測量正壓、負壓、復合壓和絕壓的各種傳感器元件。
與介質(zhì)直接接觸的受壓部分材質(zhì)相當于哈氏合金c-22，可采用sus316l制造，耐腐蝕性能優(yōu)異。
由于檢測壓力的硅芯片的厚隔膜，具有出色的耐壓性
目標型號半導體膜片壓力傳感器vesw、vesx、vesy、vesz、vhr3、vhg3、var3、vag3、vprnp、vpnpr、vpnpg、vnf、hs1、hv1、as1、av1、ns1、nv1、vesi、vesv、vsw2、vst等。
關(guān)鍵詞：壓力傳感器 傳感器 芯片