主要內(nèi)容
牛津大學(xué)henry j. snaith教授團(tuán)隊(duì)通過研究表明，voc缺陷是由鈣鈦礦和etl界面處較差的能帶排列引起的。另外通過漂移擴(kuò)散模擬，移動離子阻礙電荷提取，可導(dǎo)致jsc損失。
在這篇文章中，團(tuán)隊(duì)將理論和實(shí)驗(yàn)方法相結(jié)合，以了解和減少寬帶隙br-rich鈣鈦礦pin器件在開路電壓（voc）和短路電流（jsc）條件下的損耗。內(nèi)部準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂（qfls）和外部voc之間的失配對這些器件是有害的。
用guanidinium-br和imidazolium-br修飾鈣鈦礦頂表面在n-界面形成低維鈣鈦礦相，可抑制qfls-voc失配，并提高voc。同時(shí)，在p界面使用離子夾層或自組裝單層可減少由移動離子在jsc引導(dǎo)的推斷場屏蔽，促進(jìn)了電荷提取并提高了jsc。n型和p型優(yōu)化的結(jié)合能夠接近鈣鈦礦吸收層的熱力學(xué)潛力，從而產(chǎn)生1cm2的器件，vocs的性能參數(shù)高達(dá)1.29?v、 填充因子超過80%，jscs高達(dá)17ma/cm2，在85°c時(shí)，t80的熱穩(wěn)定性壽命超過3500h。
研究團(tuán)隊(duì)使用setfos模擬仿真軟件證明，由于在鈣鈦礦界面處有更強(qiáng)的電場，空穴傳輸層增強(qiáng)了電荷提取。
產(chǎn)品推薦-setfos模擬仿真軟件setfos用于各種類型太陽能電池（包括鈣鈦礦、有機(jī)、疊層、硅基電池等）、鈣鈦礦led、oled器件及相關(guān)光電材料性能的仿真系統(tǒng)，對器件設(shè)計(jì)、構(gòu)建、光學(xué)性能、電學(xué)性能以及光電材料的性能進(jìn)行模擬計(jì)算和優(yōu)化。（點(diǎn)擊訪問）
文獻(xiàn)信息open-circuit and short-circuit loss management in wide-gap perovskite p-i-n solar cellspietro caprioglio,joel a. smith,robert d. j. oliver,akash dasgupta,saqlain choudhary,michael d. farrar,alexandra j. ramadan,yen-hung lin,m. greyson christoforo,james m. ball,jonas diekmann,jarla thiesbrummel,karl-augustin zaininger,xinyi shen,michael b. johnston,dieter neher,martin stolterfoht &henry j. snaith