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      低壓軟起動器可控硅的主要技術(shù)參數(shù)

      發(fā)布時間:2024-08-20
      建議拆掉軟啟動器后測試,以往在工廠測試電機時候,一般都建議拆掉變頻器來測試的,其實就是主回路三條線,拆裝很簡單的,畢竟你測試電機絕緣時候,不知道你的測試儀輸出的高壓是多少了,一不留神會燒里邊的器件的,畢竟里邊除了可控硅,還可能有一些檢測電路或者過壓保護器件了,很容易受到破壞,一般主回路就是3個可控硅,可控硅的反向耐壓和正向耐壓,基本上是差不多的,可以參考這個小功率的可控硅表,廠家給出來的參數(shù),和正向耐壓是一致的,可以推測大功率的也差不多。
      可控硅的主要技術(shù)參數(shù)
      1.正向阻斷峰值電壓(vpfu)
      是指在控制極開路及正向阻斷條件下,可以重復(fù)加在器件上的正向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為正向轉(zhuǎn)折電壓值的80%。
      2.反向阻斷峰值電壓(vpru)
      它是指在控制極斷路和額定結(jié)溫度下,可以重復(fù)加在器件上的反向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為最高反向測試電壓值的80%。
      3.額定正向平均電流(if)
      在環(huán)境溫度為+40c時,器件導(dǎo)通(標準散熱條件)可連續(xù)通過工頻(即指供電網(wǎng)供給的電源頻率.一般為50hz或60hz,我國規(guī)定為50hz)正弦半波電流的平均值。
      4.正向平均壓降(uf)
      在規(guī)定的條件下,器件通以額定正向平均電流時,在陽極與陰極之間電壓降的平均值。 5.維持電流(ih)
      在控制極斷開時,器件保持導(dǎo)通狀態(tài)所必需的最小正向電流。
      6.控制極觸發(fā)電流(ig)
      陽極與陰極之間加直流6v電壓時,使可控硅完全導(dǎo)通所必需的最小控制極直流電流。 7.控制極觸發(fā)電壓(ug)
      是指從阻斷轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時控制極上所加的最小直流電壓。
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