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      保護敏感IC元件

      發(fā)布時間:2024-08-19
      保護敏感ic元件為了成本,集成度和性能等指標,采用高速串行數(shù)據接口,并且減小半導體制造布局是非常有必要的。但這種較小的器件更容易受到較低電壓和電流所造成的靜電損傷。另外,用于高速數(shù)據線上的低電容esd保護器件在電容減小的同時,動態(tài)電阻會變大,這會使它們保護系統(tǒng)敏感ic元件的能力變差。
      對于傳統(tǒng)的esd保護方案,強大的靜電放電保護與良好的信號完整性是一對矛盾。有一些asic根本無法在保證信號完整性的同時,有效地進行esd保護。
      數(shù)據表說明書
      系統(tǒng)設計者通常用器件數(shù)據表上標注的esd等級來比較其esd保護能力。然而這些等級僅僅適用于單獨的esd器件,而不代表它們所在的工作系統(tǒng)。
      一個esd等級標注為8kv的設備,可能會使2kv或者更低的系統(tǒng)級測試失敗。有時,一個標注為15kv的器件對系統(tǒng)提供的保護可能還不如一個8kv的器件。大多數(shù)系統(tǒng)設計者用來比較esd器件的主要參數(shù)根本無法顯示實際的系統(tǒng)層次的性能。
      系統(tǒng)ic常常會因為過電壓、過電流或者同時受到兩者的作用而受損。很多系統(tǒng)設計者都知道連續(xù)電壓會使ic遭到損傷,卻沒有意識到大電流往往是esd損傷的真正原因。
      圖1 在傳統(tǒng)的esd保護體系中,靜電放電保護與信號的完整性是一對矛盾
      esd保護器件可以將大部分電流引入地下,并且將作用于asic之上的電壓限制在擊穿電壓之內。理論上,我們可以通過比較它們的鉗位電壓和剩余電流(未被esd器件分流的電流),來比較esd器件的性能。但是,實際情況卻遠不是如此。
      鉗位電壓
      在實際測試中,廠家所發(fā)布的鉗位電壓是在給器件施加一個上升時間為 8μs,持續(xù)20μs的脈沖的情況下確定的。
      大多數(shù)產品數(shù)據表所示的鉗位電壓都是通過對器件施加1a脈沖確定的,有時也會采用電流強度更高的脈沖。這種脈沖可重復獲得,并易于測量,因此被廣泛采用。但不幸的是,這種脈沖并不等價于esd脈沖。esd脈沖只有1ns的上升時間,持續(xù)60ns。除此之外,iec 61000-4-2第4級電擊中,峰值電流為30a的鉗位電壓和在1a脈沖作用下也有很大區(qū)別。
      采用標準1a脈沖,大多數(shù)半導體esd保護二極管的鉗位電壓一般都會標注在8~15v之間。但在8kv的iec 61000-4-2標準測試中,這些二極管的峰值鉗位電壓則會達到50~100v,這是由二極管的其他特征,如動態(tài)電阻值所決定的。
      有一些esd制造商還會提供esd脈沖波形圖,但是這同樣很容易讓人誤解。例如,制造商經常采用衰減器來保護測試儀器不受損傷??墒菙?shù)據表中的波形圖并沒有將衰減器的影響包括在內,這會使標注的鉗位電壓存在5~10倍的誤差。
      雖然不能僅僅通過大多數(shù)數(shù)據表上提供的鉗位電壓來比較esd的性能,但是,通過仔細閱讀分析它,我們卻可以了解器件的相對性能。
      其他因素
      被保護asic的鉗位電壓基于幾項因素,包括esd二極管的擊穿電壓,二極管的動態(tài)電阻以及流過二極管的電流量。雖然數(shù)據表上標注的鉗位電壓并不準確(通過對其施加8~20μs的脈沖電壓來實現(xiàn),與實際esd脈沖有很大區(qū)別),但是我們同樣可以恰當?shù)乩盟鼈儊肀容^器件的性能。
      在簡化模型中,鉗位電壓會隨著電流線性增加,這個函數(shù)的斜率就是二極管的動態(tài)電阻。
      大多數(shù)esd器件制造商都會提供1a鉗位電壓值,動態(tài)電阻值,或者兩個不同電流強度時的鉗位電壓值。這樣,我們很容易就能計算出器件的動態(tài)電阻。例如,一個器件在1a電流下的鉗位電壓為10v,而在5a電流下鉗位電壓為15v,那它的動態(tài)電阻就等于(15-10)/(5-1)=1.25ω
      動態(tài)電阻值是確定實際鉗位電壓時最重要的因素??紤]兩種器件,一個在1.0a電流強度下具有8v鉗位電壓的器件,一個在1.0a電流強度下具有10v鉗位電壓的器件,哪一個在esd沖擊中的表現(xiàn)會更好?
      8v的鉗制也許看起來會更好,但這或許不是真的。假如b器件(10v鉗位電壓)的動態(tài)電阻僅為1ω,而8v鉗位電壓器件的動態(tài)電阻達到了2ω,那么30a的電流下,a器件的鉗位電壓就為8+29×2=66v,而器件b卻為10 + 29×1 = 39 v。這樣b就成為更好的選擇。
      通過asic的電流大小也與保護電路的動態(tài)電阻有關。當電路的動態(tài)電阻增加時,被保護器件中的電流也會成比例增加,從而導致esd損傷的可能性增大。
      設計者應該選擇一種保護器件,使它分流盡可能多的電流,并使通過asic的剩余電流盡可能的減小。這個電流會隨著系統(tǒng)的不同而不同,所以不能按數(shù)據表上的值照搬。不幸的是,很多情況下,esd保護器件制造商不會為用戶提供直接的動態(tài)電阻值。不過這可以通過幾組鉗位電壓值來估計。
      通常,esd二極管的動態(tài)電阻在1~3ω之間,而變阻器和干擾抑制器之類的其他器件的動態(tài)電阻則有20~40ω??梢姡琫sd二極管是靜電放電保護的選擇。
      傳統(tǒng)的esd保護措施
      圖1所示是發(fā)生擊穿時,傳統(tǒng)的、單級esd保護器件所起的作用。其中包括:(1)電壓被鉗制在一個較低的水平,以盡量減小asic兩端的電壓。(2)保護器件將電流旁路至地面,避開了asic元件。(3)esd電擊結束后,保護器件將恢復到高阻狀態(tài)。有些器件,比如聚合物,可能需要24小時才能恢復到初始狀態(tài),所以理解這個特性非常重要。
      減小esd保護器件的動態(tài)電阻將會減小asic兩端的鉗位電壓,并會減小漏電流。隨著的asic元件越來越敏感,傳統(tǒng)的esd保護方案已經無法為一些asic提供足夠的保護。
      新型解決方案
      cmd的picoguard xp等方案的特點是一種創(chuàng)新的兩級設計,將兩級esd保護和電阻串聯(lián),放在同一個封裝內,以減少到達asic的電流。它的工作原理如下:
      ● 系統(tǒng)從級開始鉗制。級的漏電流通過串聯(lián)電阻進入系統(tǒng)的第二級。
      ● 級漏電流中的大部分都被第二級從連接到asic的通路中分流,與單鉗制保護架構相比,這樣做顯著減少了asic處的電流。通過這種二級鉗制,同樣也可以減小鉗位電壓。
      在一個例子中,采用cm1231,asic的鉗位電壓從傳統(tǒng)esd二極管的6kv以下增加到10kv以上。cm1231是采用picoguard xp構架的器件。
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